Relaxation de la contrainte dans les hétérostructures Al(Ga)InN/GaN pour applications électroniques: modélisation des propriétés physiques et rôle de l'indium dans la dégradation des couches épitaxiales

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Authors: Ranim Mohamad

Journal publisher: École Doctorale Physique, Sciences de l'Ingénieur, Matériaux, Énergie (Rouen)

Published year: 2018